Kuai技术于7月24日报道说，由于对发电的需求迅速增加，高性能计算（HPC）以及数据中心内存的频率和效率，新的标准记忆产生正在朝着大规模生产和广义生产方向发展。该行业估计，DDR6将在2027年进入重要的采用期。目前，包括三星，Micron和SK Hynix在内的三家主要DRAM制造商专注于启动开发计划，专注于芯片，控制器和DDR6包装模块的技术进步和产品设计。根据JEDEC促销计时器的说法，DDR6的主要规范是在2024年底撰写的，LPDDR6的草案也于2025年第二季度推出。根据行业分析师，DDR6在2026年也将在2026年进行测试阶段和该平台的验证。在产品生命周期中，E超频模块可以达到21000mt/s的速度，其总体性能约为DDR5的2-3倍。从建筑的角度来看，DDR6使用4x24位通道设计。与DDR5的2x32位相比，这在并行处理，数据循环和使用频率的效率方面具有更大的优势，但在模块的I/O设计中也建立了更高的要求。同时，由JEDEC标准化的CAMM2正在成为DDR6时代的主要解决方案。 CAMM2结合了高带宽，高密度，低阻抗和薄标准设计，以成功解决DDR5的288引脚的DIMP插槽。 [本文的结尾]如果您需要重印，请务必向我们展示您的资源：Kuai技术编辑：黑白